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全新ST场效应:STB40N20,MOS管N通道,标准,现货特价!
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型号/规格:

STB40N20

品牌/商标:

ST(意法半导体)

封装形式:

to-263

环保类别:

普通型

安装方式:

贴片式

包装方式:

盒带编带包装

功率特性:

大功率

频率特性:

高频

极性:

NPN型

PDF资料:

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产品信息


数据列表 STx40NF20
产品相片 TO-263
其它有关文件 STB40NF20 View All Specifications
PCN 设计/规格 D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013
标准包装 ?  1,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 STripFET™
包装 ?  带卷 (TR) ? 
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时) 40A (Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 45 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 75nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 2500pF @ 25V
功率 - 值 160W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
产品目录页面 1542 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 497-5804-2



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