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深圳市创立翔科技有限公司 > 技术资料 > IRFR5305场效应55V 25A TO252 PNP三极管原装FR5305,TO-252,DPAK,IRFU5305,IRFR5305

IRFR5305场效应55V 25A TO252 PNP三极管原装FR5305,TO-252,DPAK,IRFU5305,IRFR5305

发布时间: 2014/10/22 10:37:36 | 572 次阅读

·超低导通电阻

山·表面(IRFR5305)

·直接领导(IRFU5305)

·先进工艺技术

·快速切换

·完全雪崩额定

·无铅

描述:

第五代HEXFETs国际整流器的利用

先进的处理技术实现极低

导通电阻/硅区域。这个好处,结合

快速转换的速度和加固的设备设计

HEXFET®功率mosfet是众所周知的,提供

设计师与一个非常有效和可靠的设备

用于各种各样的应用程序

 

D-Pak设计用于表面安装使用蒸汽

阶段、红外或波峰焊接技术。直

铅对通孔安装版本(IRFU系列)

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在典型的表面安装的应用程序。

额定参数:

热阻: