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深圳市创立翔科技有限公司
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FDB33N25 MOS管 N沟道 MOSFET 250V，33A 94mΩ
发布时间： 2014/11/23 23:23:09 | 650 次阅读
特性
•RDS()= 94 mΩ(Max)。@ vg = 10 V,ID = 16.5
•低闸极电荷(Typ 36.8数控)。
•低crs(Typ 39 pF)。
•100%雪崩测试
应用程序：
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产品描述：
UniFETTM MOSFET飞兆半导体公司的高压MOSFET家庭基于平面条纹和DMOS结构技术。这个MOSFET是针对减少开态电阻,并提供更好的交换性能和更高的avalanche.energy力量。这个设备的家庭适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视的力量,ATX灯和电子镇流器。
