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1.概 念:
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.

2.特 点:

  具有输入电阻高（100MΩ～1 000MΩ）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.

3.作 用:

场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.　　场效应管可以用作电子开关.　　场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.
4.场效应管的分类:
场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类，按沟道材料:

      结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;

     按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的.

  场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.
5.场效应管的主要参数:
Idss— 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.

  Up— 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.

  Ut— 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.

  gM— 跨导.是表示栅源电压

     UGS— 对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.

     gM  — 是衡量场效应管放大能力的重要参数.

BVDS— 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.

PDSM— 耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.

IDSM— 漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM。

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