ST品牌，STB270N4F3原装，长期现货，MOS管_深圳市创立翔科技有限公司

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产品分类

三极管(9)

贴片/片式/SMD三极管(1)

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开关三极管(5)

三极管芯片(管芯)(1)

场效应管MOSFET(11)

结型场效应管(5)

其他场效应管模块(2)

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供应ST品牌，STB270N4F3原装，长期现货，MOS管

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供应ST品牌，STB270N4F3原装，长期现货，MOS管

型号/规格：

STB270N4F3

品牌/商标：

ST（意法半导体）

封装形式：

TO-263

环保类别：

普通型

安装方式：

贴片式

包装方式：

盒带编带包装

功率特征：

大功率

PDF资料：

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QQ:718428593

询价

产品信息

Cds---漏-源电容	Cdu---漏-衬底电容	Cgd---栅-漏电容	Cgs---栅-源电容	Ciss---栅短路共源输入电容	Coss---栅短路共源输出电容
Crss---栅短路共源反向传输电容	D---占空比（占空系数，外电路参数）	di/dt---电流上升率（外电路参数）	dv/dt---电压上升率（外电路参数）	ID---漏极电流（直流）	IDM---漏极脉冲电流
ID(on)---通态漏极电流	IDQ---静态漏极电流（射频功率管）	IDS---漏源电流	IDSM---漏源电流	IDSS---栅-源短路时，漏极电流	IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）
IG---栅极电流（直流）	IGF---正向栅电流	IGR---反向栅电流	IGDO---源极开路时，截止栅电流	IGSO---漏极开路时，截止栅电流	IGM---栅极脉冲电流
IGP---栅极峰值电流	IF---二极管正向电流	IGSS---漏极短路时截止栅电流	IDSS1---对管管漏源饱和电流	IDSS2---对管第二管漏源饱和电流	Iu---衬底电流
Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）	gfs---正向跨导	Gp---功率增益	Gps---共源极中和高频功率增益	GpG---共栅极中和高频功率增益	GPD---共漏极中和高频功率增益
ggd---栅漏电导	gds---漏源电导	K---失调电压温度系数	Ku---传输系数	L---负载电感（外电路参数）	LD---漏极电感
Ls---源极电感	rDS---漏源电阻	rDS(on)---漏源通态电阻	rDS(of)---漏源断态电阻	rGD---栅漏电阻	rGS---栅源电阻
Rg---栅极外接电阻（外电路参数）	RL---负载电阻（外电路参数）	R(th)jc---结壳热阻	R(th)ja---结环热阻	PD---漏极耗散功率	PDM---漏极允许耗散功率
PIN--输入功率	POUT---输出功率	PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）	to(on)---开通延迟时间	td(off)---关断延迟时间	ti---上升时间
ton---开通时间	toff---关断时间	tf---下降时间	trr---反向恢复时间	Tj---结温	Tjm---允许结温
Ta---环境温度	Tc---管壳温度	Tstg---贮成温度	VDS---漏源电压（直流）	VGS---栅源电压（直流）	VGSF--正向栅源电压（直流）
VGSR---反向栅源电压（直流）	VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）	VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）	Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）	VGS(th)---开启电压或阀电压	V（BR）DSS---漏源击穿电压
V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压	VDS(on)---漏源通态电压	VDS(sat)---漏源饱和电压	VGD---栅漏电压（直流）	Vsu---源衬底电压（直流）	VDu---漏衬底电压（直流）
VGu---栅衬底电压（直流）	Zo---驱动源内阻	η---漏极效率（射频功率管）	Vn---噪声电压	aID---漏极电流温度系数	ards---漏源电阻温度系数

主营：