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深圳市创立翔科技有限公司
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产品信息
- 场效应管 MOSFET N沟道 600V 25A D2PAK
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 12.5A
- 漏源电压, Vds: 600V
- 在电阻RDS（上）: 110mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压 Vgs: 4V
- 功耗 Pd: 190W
- 晶体管封装类型: TO-263
- 针脚数: 3
- 工作温度值: 150°C
- MSL: MSL 1 -无限制
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013)
- 工作温度值: -55°C
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 晶体管类型: 功率MOSFET
- 漏极电流, Id 值: 25A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds 典型值: 600V
- 电压, Vgs : 25V
- 表面安装器件: SMD
主营：
