STB36NM60N，N通道600V 29A MOSFET，ST原装_深圳市创立翔科技有限公司

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STB36NM60N，N通道600V 29A MOSFET，ST原装

STB36NM60N，N通道600V 29A MOSFET，ST原装

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STB36NM60N，N通道600V 29A MOSFET，ST原装

型号/规格：

STB36NM60N

品牌/商标：

ST（意法半导体）

封装形式：

to-263

环保类别：

普通型

安装方式：

贴片式

包装方式：

盒带编带包装

PDF资料：

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QQ:718428593

询价

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产品信息

制造商:

STMicroelectronics

产品种类:

MOSFET

RoHS:

详细信息

晶体管极性:

N-Channel

汲极/源极击穿电压:

600 V

漏极连续电流:

29 A

导通电阻:

105 mOhms

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

D2PAK

封装:

Reel

栅极电荷 Qg:

83.6 nC

功率耗散:

210 W

系列:

STB35N

制造商零件编号: STB36NM60N

种类: MOSFET

沟道类型: N

耗散功率 (Pd): 210

漏源电压 (Uds): 600

栅源电压 (Ugs):

漏极电流 (Id): 29

工作温度 (Tj), °C:

导通上升时间 (tr):

输出电容 (Cd), pF:

静态的漏源极导通电阻 (Rds), Ohm: 0.105

封装形式: D2PAK

主营：