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深圳市创立翔科技有限公司
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产品分类
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产品信息
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详细信息
制造商零件编号: STB36NM60N
种类: MOSFET
沟道类型: N
耗散功率 (Pd): 210
漏源电压 (Uds): 600
栅源电压 (Ugs):
漏极电流 (Id): 29
工作温度 (Tj), °C:
导通上升时间 (tr):
输出电容 (Cd), pF:
静态的漏源极导通电阻 (Rds), Ohm: 0.105
封装形式: D2PAK
主营：
