全新ST场效应：STB40N20,MOS管N通道,标准，现货特价！

数据列表	STx40NF20
产品相片	TO-263
其它有关文件	STB40NF20 View All Specifications
PCN 设计/规格	D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013
标准包装	1,000
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	STripFET™
包装	带卷 (TR)
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源极电压 (Vdss)	200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）	40A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）	45 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（值）	4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)	75nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	2500pF @ 25V
功率 - 值	160W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装	D2PAK
产品目录页面	1542 (CN2011-ZH PDF)
其它名称	497-5804-2

主营：

深圳市创立翔科技有限公司