全新ST场效应：STB3N62K3,MOS管N通道,标准，现货特价！

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全新ST场效应：STB3N62K3,MOS管N通道,标准，现货特价！

型号/规格：

STB3N62K3

品牌/商标：

ST（意法半导体）

封装形式：

sot-263

环保类别：

普通型

安装方式：

贴片式

包装方式：

盒带编带包装

功率特征：

大功率

PDF资料：

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询价

产品信息

数据列表	STx3N62K3
产品相片	TO-263
其它有关文件	STB3N62K3 View All Specifications
PCN 过时产品	Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013
标准包装	1,000
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	SuperMESH™
包装	带卷 (TR)
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源极电压 (Vdss)	620V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）	2.7A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）	2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（值）	4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)	13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	385pF @ 25V
功率 - 值	45W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装	D2PAK
产品目录页面	1542 (CN2011-ZH PDF)
其它名称	497-8476-2

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