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深圳市创立翔科技有限公司

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产品分类

三极管(9)

场效应管MOSFET(11)

MOSFET(4)

结型场效应管(5)

其他场效应管模块(2)

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销售分离式半导体产品，STB4N62K3，MOSFET N 通道，金属氧化物

型号/规格：

STB4N62K3

品牌/商标：

ST（意法半导体）

封装形式：

TO-263

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

盒带编带包装

功率特征：

大功率

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询价

产品信息

产品索引 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STB4N62K3

Limited quantity available in value add packaging; alternate packaging exists.

非库存货

美元价格

Digi-Key 零件编号

497-10645-1-ND

价格分段	单价	扩充价格
1	2.20000	2.20
10	1.98700	19.87
25	1.78040	44.51
100	1.60080	160.08
250	1.42140	355.35
500	1.24200	621.00

现有数量

Digi-Key库存现货 : 1,000
可立即发货

制造商

STMicroelectronics

制造商零件编号

STB4N62K3

描述

MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

数量	项目编号	客户证明

MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK | STB4N62K3 | 497-10645-1-ND | Digi-Key Corp.

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

在请求的数量超出显示的价格表数量时，您的订单上显示的单价可能会更低。您可以针对比价格表中显示数量更大的数量提交一个报价请求。

数据列表	ST(B,D)4N62K3
产品相片	TO-263
其它有关文件	STB4N62K3 View All Specifications
PCN 设计/规格	D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013
标准包装	1
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	SuperMESH3™
包装	剪切带 (CT)
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源极电压 (Vdss)	620V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）	3.8A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）	1.95 欧姆 @ 1.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（值）	4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)	14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	450pF @ 50V
功率 - 值	70W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装	D2PAK
其它名称	497-10645-1

主营：

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