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深圳市创立翔科技有限公司 > 技术资料 > AO4435/35V/SOP-8/P-Channel/MOSFET

AO4435/35V/SOP-8/P-Channel/MOSFET

发布时间: 2015/7/24 11:12:26 | 499 次阅读

 型号  封装  品牌  备注
 AO4435  SOIC-8  AOS美国万代  original 全新进口

 

35V P沟道 MOS管

AO4435DPF文件

 

 


型号 Status Recommended Replacement Package Configuration Vds Vgs Id Pd Rds (on) mΩ max Qg (nC)
25°C 70°C 25°C 70°C 20V 10V 4.5V 2.5V 1.8V 1.5V 1.2V
V V A A W W mΩ mΩ mΩ mΩ mΩ mΩ mΩ
AO4435 Full Production - SOIC-8 Single - P -30 25 -10.5 -8 3 2 14 18 - - - - - 9.5


 

AO4435产品描述:

AO4435使用先进的海沟技术提供的RDS(上)和超低低门25v门评级。该设备适合使用负荷开关或脉宽调制的应用程序。

The AO4435 uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge
with a 25V gate rating. This device is suitable for use as
a load switch or in PWM applications.

-RoHS Compliant
-AO4435 is Halogen Free

 

 

AO4435产品特点:

VDS = -30V
ID = -10.5A (VGS = -20V)
RDS(ON) < 14mΩ (VGS = -20V)
RDS(ON) < 18mΩ (VGS = -10V)
RDS(ON) < 36mΩ (VGS = -5V)

100% UIS Tested
100% Rg Tested
 

 

AO4435产品内部原理图:

 

 

AO4435产品额定参数TA = 25°C,除非另有注明:

AO4435产品封装尺寸: