STB3NK60ZT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V

STB3NK60ZPDF文件

 

 

 

STB3NK60ZT4产品描述：

The SuperMESH™ series is obtained through an
extreme optimization of ST’s well established strip base_d PowerMESH™ layout. In addition to pushing
on-resistance significantly down, special care is  to ensure a very good dv/dt capability for the
most demanding applications. Such series  comple ments ST full range of high voltage MOSFETs in cluding revolutionary MDmesh™ products.

 

 

STB3NK60ZT4产品特点：

 

■典型ΩRDS()= 3.3

■极高的dv / dt能力

■100%雪崩测试

■门费用化

■内在各非常低

■很好的生产REPEATIBILITY

 

 

 

STB3NK60Z产品封装展现：

 

 

STB3NK60Z产品内部原理图：

 

 

 

STB3NK60Z产品额定参数：

 

 

 

STB3NK60ZT4产品广泛应用于：

 

■高电流、高速切换

■适合离线电源，适配器和PFC

■照明

 

 

 

STB3NK60ZT4产品封装尺寸：

 

 

 

 

 

 

STB3NK60ZT4产品信息

• 电流, Id 连续:2.4A
• 漏源电压, Vds:600V
• MSL:MSL 1 -无限制
• 针脚数:3
• 在电阻RDS（上）:3.3ohm
• 工作温度值:150°C
• 功耗 Pd:45W
• 电压 @ Rds测量:10V
• SVHC(高度关注物质):No SVHC (17-Dec-2014)
• 阈值电压 Vgs:3.75V
• 晶体管封装类型:TO-263
• 晶体管极性:N沟道